Xinlian Integration מכריזה על פרויקט ייצור שבבי SiC MOS

Xinlian Integration הודיעה כי תשקיע 961 מיליון יואן בבניית קו ייצור שבבי SiC MOSFET תואם בגודל 6/8 אינץ' עם תפוקה חודשית של 5,000 חתיכות. הפרויקט נועד להגדיל את הייצור השנתי של פרוסות SiC ולספק תמיכה לפיתוח מהיר של תעשיית רכבי האנרגיה החדשה. בעתיד, Xinlian Integration מתכננת לעבור לקו ייצור בגודל 8 אינץ' המבוסס על היצע בשוק.