In der Siliziumkarbid-Industriekette weist die Substratherstellung die höchsten technischen Hürden und den größten Wert auf

In der Siliziumkarbid-Industriekette weist die Herstellung von Siliziumkarbid-Substraten die höchsten technischen Hürden und den größten Wert auf und macht etwa 47 % der Kosten von Siliziumkarbid-Geräten aus. Im Vergleich dazu entfallen bei siliziumbasierten Geräten 50 % der Kosten auf die Waferherstellung und nur 7 % auf Siliziumwafersubstrate.