ໃນລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາ silicon carbide, ການຜະລິດ substrate ມີອຸປະສັກດ້ານວິຊາການສູງສຸດແລະມີມູນຄ່າທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດ

ໃນລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາ silicon carbide, ການຜະລິດ substrate silicon carbide ມີອຸປະສັກດ້ານວິຊາການສູງສຸດແລະມູນຄ່າທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດ, ກວມເອົາປະມານ 47% ຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງອຸປະກອນ silicon carbide. ໃນການປຽບທຽບ, ສໍາລັບອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ຊິລິໂຄນ, ການຜະລິດ wafer ກວມເອົາ 50% ຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ແລະ substrate silicon wafer ກວມເອົາພຽງແຕ່ 7% ຂອງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ.