Der von China Electronics Technology Co., Ltd. 55 entwickelte leistungsstarke und hochzuverlässige Siliziumkarbid-MOSFET hat die technische Prüfung bestanden

Das China Electronics Technology Research Institute 55 hat erfolgreich eine leistungsstarke und äußerst zuverlässige Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie entwickelt und eine Serienversorgung in Fahrzeugen mit neuer Energie, Photovoltaik-Energiespeicherung, intelligenten Netzen und anderen Bereichen erreicht. Diese Technologie hat ein international fortgeschrittenes Niveau erreicht und bietet eine starke Garantie für die Sicherheit der Lieferkette von Siliziumkarbid-Stromversorgungsgeräten. Guoji Southern und das 55 Institute werden auch in Zukunft die Kerntechnologieforschung und die industrielle Anwendung von Siliziumkarbid-MOSFET-Chips und Leistungsmodulen für Fahrzeuge mit neuer Energie vorantreiben.