China Electronics Technology Co., Ltd.:n kehittämä korkean suorituskyvyn ja erittäin luotettava piikarbidi MOSFET 55 läpäisi teknisen arvioinnin

China Electronics Technology Research Institute 55 on menestyksekkäästi kehittänyt korkean suorituskyvyn ja erittäin luotettavan piikarbidin MOSFET-teknologian ja saavuttanut erätoimituksen uusissa energiaajoneuvoissa, aurinkosähköenergian varastoinnissa, älykkäissä verkoissa ja muilla aloilla. Tämä teknologia on saavuttanut kansainvälisesti edistyneen tason ja tarjoaa vahvan takuun piikarbidivoimalaitteiden toimitusketjun turvallisuudelle. Tulevaisuudessa Guoji Southern ja 55 Research Institute jatkavat ydinteknologiatutkimuksen ja piikarbidin MOSFET-sirujen ja uusien energiaajoneuvojen tehomoduulien teollisen soveltamisen edistämistä.