Den højtydende og høj pålidelige siliciumcarbid MOSFET udviklet af China Electronics Technology Co., Ltd. 55 bestod teknisk vurdering

China Electronics Technology Research Institute 55 har med succes udviklet højtydende og meget pålidelig siliciumcarbid MOSFET-teknologi og har opnået batchforsyning i nye energikøretøjer, solcelleenergilagring, smarte net og andre områder. Denne teknologi har nået det internationalt avancerede niveau og giver en stærk garanti for sikkerheden i forsyningskæden af ​​siliciumkarbidkraftenheder. I fremtiden vil Guoji Southern og 55 Research Institute fortsætte med at fremme nøgleteknologisk forskning og industriel anvendelse af siliciumcarbid MOSFET-chips og strømmoduler til nye energikøretøjer.