De krachtige en zeer betrouwbare siliciumcarbide MOSFET, ontwikkeld door China Electronics Technology Co., Ltd. 55, heeft de technische beoordeling doorstaan

China Electronics Technology Research Institute 55 heeft met succes hoogwaardige en zeer betrouwbare siliciumcarbide MOSFET-technologie ontwikkeld en batchlevering gerealiseerd in nieuwe energievoertuigen, fotovoltaïsche energieopslag, slimme netwerken en andere gebieden. Deze technologie heeft het internationaal geavanceerde niveau bereikt en biedt een sterke garantie voor de veiligheid van de toeleveringsketen van siliciumcarbide-energieapparatuur. In de toekomst zullen Guoji Southern en het 55 Institute doorgaan met het bevorderen van belangrijk kerntechnologieonderzoek en de industriële toepassing van siliciumcarbide MOSFET-chips en voedingsmodules voor nieuwe energievoertuigen.