El MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento y alta confiabilidad desarrollado por China Electronics Technology Co., Ltd. 55 pasó la evaluación técnica

El Instituto de Investigación de Tecnología Electrónica de China 55 ha desarrollado con éxito tecnología MOSFET de carburo de silicio altamente confiable y de alto rendimiento, y ha logrado el suministro por lotes en vehículos de nueva energía, almacenamiento de energía fotovoltaica, redes inteligentes y otros campos. Esta tecnología ha alcanzado el nivel avanzado internacionalmente y proporciona una sólida garantía para la seguridad de la cadena de suministro de dispositivos de potencia de carburo de silicio. En el futuro, Guoji Southern y 55 Institute continuarán promoviendo la investigación de tecnologías centrales clave y la aplicación industrial de chips MOSFET de carburo de silicio y módulos de potencia para vehículos de nueva energía.