Il MOSFET al carburo di silicio ad alte prestazioni e alta affidabilità sviluppato da China Electronics Technology Co., Ltd. 55 ha superato la valutazione tecnica

Il China Electronics Technology Research Institute 55 ha sviluppato con successo una tecnologia MOSFET al carburo di silicio ad alte prestazioni e altamente affidabile e ha ottenuto forniture in lotti in veicoli a nuova energia, stoccaggio di energia fotovoltaica, reti intelligenti e altri campi. Questa tecnologia ha raggiunto un livello avanzato a livello internazionale e fornisce una forte garanzia per la sicurezza della catena di fornitura dei dispositivi di potenza in carburo di silicio. In futuro, Guoji Southern e 55 Institute continueranno a promuovere la ricerca tecnologica di base e l'applicazione industriale di chip MOSFET in carburo di silicio e moduli di potenza per veicoli a nuova energia.