Déi héich performant an héich Zouverlässegkeet Silicon Carbide MOSFET entwéckelt vun China Electronics Technology Co., Ltd. 55 huet technesch Bewäertung

China Electronics Technology Research Institute 55 huet erfollegräich High-Performance an héich zouverlässeg Siliziumcarbid MOSFET Technologie entwéckelt, an huet Batchversuergung an nei Energieween, Photovoltaik Energielagerung, Smart Gitter an aner Felder erreecht. Dës Technologie huet den international fortgeschrattenen Niveau erreecht a bitt eng staark Garantie fir d'Sécherheet vun der Versuergungskette vu Siliziumkarbid Kraaftapparaten. An Zukunft wäert Guoji Southern an 55 Institut weider Schlëssel Kär Technologie Fuerschung an industriell Applikatioun vun Silicon Carbide MOSFET Chips a Kraaft Moduler fir nei Energie Gefierer ze förderen.