Vysoce výkonný a vysoce spolehlivý MOSFET z karbidu křemíku vyvinutý společností China Electronics Technology Co., Ltd. 55 prošel technickým hodnocením

China Electronics Technology Research Institute 55 úspěšně vyvinul vysoce výkonnou a vysoce spolehlivou technologii MOSFET z karbidu křemíku a dosáhl dávkových dodávek v nových energetických vozidlech, fotovoltaických úložištích energie, inteligentních sítích a dalších oblastech. Tato technologie dosáhla mezinárodně pokročilé úrovně a poskytuje silnou záruku bezpečnosti dodavatelského řetězce energetických zařízení z karbidu křemíku. V budoucnu budou Guoji Southern a 55 Research Institute pokračovat v podpoře klíčového technologického výzkumu a průmyslové aplikace MOSFET čipů z karbidu křemíku a výkonových modulů pro nová energetická vozidla.