Высокапрадукцыйны і высоканадзейны MOSFET з карбіду крэмнію, распрацаваны China Electronics Technology Co., Ltd. 55 прайшоў тэхнічную экспертызу

Кітайскі навукова-даследчы інстытут электронных тэхналогій 55 паспяхова распрацаваў высокапрадукцыйную і вельмі надзейную тэхналогію MOSFET з карбіду крэмнію і дасягнуў серыйных паставак новых энергетычных транспартных сродкаў, фотаэлектрычных назапашвальнікаў энергіі, разумных сетак і іншых галінах. Гэтая тэхналогія дасягнула міжнароднага высокага ўзроўню і забяспечвае моцную гарантыю бяспекі ланцужка паставак сілкавальных прылад з карбіду крэмнія. У будучыні Guoji Southern and 55 Institute будуць працягваць прасоўваць даследаванні ключавых асноўных тэхналогій і прамысловае прымяненне карбіду крэмнію MOSFET-чыпаў і сілавых модуляў для новых энергетычных транспартных сродкаў.