A China Electronics Technology Co., Ltd. 55 által kifejlesztett, nagy teljesítményű és nagy megbízhatóságú szilícium-karbid MOSFET 55 átment a műszaki értékelésen

A Kínai Elektronikai Technológiai Kutatóintézet 55 sikeresen fejlesztette ki a nagy teljesítményű és rendkívül megbízható szilícium-karbid MOSFET technológiát, és elérte a kötegelt ellátást új energiahordozó járművekben, fotovoltaikus energiatárolókban, intelligens hálózatokban és más területeken. Ez a technológia elérte a nemzetközileg fejlett szintet, és erős garanciát nyújt a szilícium-karbid erőgépek ellátási láncának biztonságára. A jövőben a Guoji Southern és az 55 Institute továbbra is támogatja a kulcsfontosságú technológiai kutatásokat, valamint a szilícium-karbid MOSFET chipek és teljesítménymodulok ipari alkalmazását az új energetikai járművekhez.