Високопродуктивний і високонадійний МОП-транзистор з карбіду кремнію, розроблений компанією China Electronics Technology Co., Ltd. 55, пройшов технічну оцінку

Китайський науково-дослідний інститут електронних технологій 55 успішно розробив високопродуктивну та високонадійну технологію МОП-транзисторів з карбіду кремнію та досяг серійних поставок нових енергетичних транспортних засобів, фотоелектричних накопичувачів енергії, інтелектуальних мереж та інших галузей. Ця технологія досягла передового міжнародного рівня та забезпечує надійну гарантію безпеки ланцюга поставок силових пристроїв з карбіду кремнію. У майбутньому Guoji Southern and 55 Institute продовжуватимуть сприяти дослідженню ключових основних технологій і промисловому застосуванню MOSFET-чіпів із карбіду кремнію та силових модулів для нових транспортних засобів.