Jinghe Integrated laiž klajā jaunu 55 nm viena mikroshēmas augstu pikseļu aizmugurgaismotu CMOS attēla sensoru

Pēc 90 nm CMOS attēla sensoru un 55 nm stacked CMOS attēla sensoru masveida ražošanas Hefei Jinghe Integrated Circuit Co., Ltd. (saukta par "Jinghe integrālo shēmu") atkal laida klajā jaunu CMOS attēla sensoru produktu. Nesen Jinghe integrētais 55 nm vienas mikroshēmas, augstu pikseļu aizmugurgaismojuma (BSI) attēla sensors ir sasniedzis masveida ražošanu, kas nodrošinās spēcīgu atbalstu dažādiem viedtālruņu lietojumprogrammu scenārijiem un palīdzēs tiem pāriet no vidējas uz zemas klases tirgus. vidējas un augstākās klases tirgus.