Jinghe Integrated wprowadza na rynek nowy, jednoukładowy, wysokopikselowy, podświetlany czujnik obrazu CMOS wykonany w procesie technologicznym 55 nm

Po masowej produkcji czujników obrazu CMOS 90 nm i 55 nm czujników obrazu typu stacked CMOS, firma Hefei Jinghe Integrated Circuit Co., Ltd. (określana jako „Jinghe Integrated Circuit”) po raz kolejny wprowadziła na rynek nowy produkt z czujnikiem obrazu CMOS. Niedawno zintegrowany, jednoukładowy, wysokopikselowy, podświetlany (BSI) czujnik obrazu Jinghe o długości 55 nm wszedł do masowej produkcji, co zapewni silne wsparcie dla różnych scenariuszy zastosowań smartfonów i pomoże im przejść z rynku średniej i niskiej półki na rynek rynku średniej i wyższej półki.