YOFC-ийн дэвшилтэт гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч цахилгаан төхөөрөмжийн судалгаа, боловсруулалт ба үйлдвэрлэлийн бааз төслийн эхний шатны хөрөнгө оруулалт нь 10 тэрбум юань юм.

YOFC-ийн дэвшилтэт гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч цахилгаан төхөөрөмжийн судалгаа, үйлдвэрлэлийн баазын төслийн эхний үе шат нь нийт 10 тэрбум юанийн хөрөнгө оруулалттай бөгөөд эпитакси, төхөөрөмжийн загвар, өрөм үйлдвэрлэх, сав баглаа боодол болон бусад чиглэлээр жил бүр 360,000 SiC MOSFET хавтан үйлдвэрлэх боломжтой.