Déi éischt Phas Investitioun vum YOFC's fortgeschratt Drëtt-Generatioun Halbleiter Kraaftapparat R&D a Produktiounsbasisprojet ass 10 Milliarden Yuan.
360
Jo
Si
MOSFET
Pro
SiC MOS
SiC MOSFET
Si
Epitaxie
Jo
Yuan
Fabrikatioun
Apparat
Wafer
360
Design
Joer
SiC
Produktioun
Produktioun
2024-12-23 12:05
59
Déi éischt Phase vum YOFC's fortgeschratt Drëtt-Generatioun Halbleiter Kraaftapparat R&D a Produktiounsbasisprojet huet eng Gesamtinvestitioun vun 10 Milliarden Yuan a kann all Joer 360,000 SiC MOSFET Wafere produzéieren, dorënner Epitaxie, Apparat Design, Wafer Fabrikatioun, Verpakung an aner Aspekter.
