Η πρώτη φάση επένδυσης της προηγμένης τρίτης γενιάς συσκευής ενέργειας ημιαγωγών της YOFC Ε&Α και το έργο της βάσης παραγωγής είναι 10 δισεκατομμύρια γιουάν.

Η πρώτη φάση του προηγμένου έργου R&D και παραγωγής βάσης της προηγμένης συσκευής ημιαγωγών τρίτης γενιάς της YOFC έχει συνολική επένδυση 10 δισεκατομμυρίων γιουάν και μπορεί να παράγει 360.000 γκοφρέτες SiC MOSFET ετησίως, συμπεριλαμβανομένης της επιταξίας, του σχεδιασμού της συσκευής, της κατασκευής γκοφρέτας, της συσκευασίας και άλλων πτυχών.