В первый этап проекта разработки и производственной базы передовых полупроводниковых силовых устройств третьего поколения YOFC будет инвестировано 10 миллиардов юаней.

Общий объем инвестиций в первый этап проекта YOFC по исследованию и производству передовых полупроводниковых силовых устройств третьего поколения составляет 10 миллиардов юаней, и он может производить 360 000 пластин SiC MOSFET в год, включая эпитаксию, проектирование устройств, производство пластин, упаковку и другие аспекты.