Инвестиција прве фазе ИОФЦ-овог напредног пројекта треће генерације за истраживање и развој и производну базу је 10 милијарди јуана.
2024-12-23 12:05
59
Прва фаза ИОФЦ-овог напредног полупроводничког енергетског уређаја треће генерације Р&Д и пројекта производне базе има укупну инвестицију од 10 милијарди јуана и може произвести 360.000 СиЦ МОСФЕТ плочица годишње, укључујући епитаксију, дизајн уређаја, производњу плочица, паковање и друге аспекте.
