Prva faza YOFC-jeve napredne polprevodniške napajalne naprave tretje generacije za raziskave in razvoj ter projekt proizvodne baze bo vložila 10 milijard juanov
Tehnologija oblikovanja
360
ah
drugi
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
ključ
kup
360
oblikovanje
taksi
dr
SiC
2024-12-23 12:05
59
Prva faza YOFC-jeve napredne polprevodniške napajalne naprave tretje generacije R&D in proizvodne baze ima skupno naložbo 10 milijard juanov in lahko proizvede 360.000 SiC MOSFET rezin letno, vključno z epitaksijo, oblikovanjem naprave, proizvodnjo rezin, pakiranjem in drugimi vidiki.
