A YOFC fejlett, harmadik generációs félvezető erőművének kutatás-fejlesztési és gyártási alapprojektjének első fázisa 10 milliárd jüan.
360
A
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
gyártás
kutatás
gyár
360
tervezés
év
félvezető
tervezés
ár
projekt
OF
2024-12-23 12:06
59
A YOFC fejlett, harmadik generációs félvezető erőműveinek kutatás-fejlesztési és gyártási alapprojektjének első fázisa összesen 10 milliárd jüan befektetéssel jár, és évente 360 000 SiC MOSFET szeletet tud gyártani, beleértve az epitaxiát, az eszköztervezést, az ostyagyártást, a csomagolást és egyéb szempontokat.
