Pelaburan fasa pertama projek R&D dan asas pengeluaran peranti semikonduktor generasi ketiga termaju YOFC ialah 10 bilion yuan.
360
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
hasil
pembuatan
wafer
hasil
kuasa
360
reka bentuk
asas
asas
asas
tahun
hasil
semikonduktor
SiC
projek
2024-12-23 12:06
59
Fasa pertama projek asas pengeluaran dan R&D peranti kuasa semikonduktor generasi ketiga termaju YOFC mempunyai jumlah pelaburan sebanyak 10 bilion yuan dan boleh menghasilkan 360,000 wafer SiC MOSFET setiap tahun, termasuk epitaksi, reka bentuk peranti, pembuatan wafer, pembungkusan dan aspek lain.
