Inversión primera fase YOFC avanzado tercera generación dispositivo de potencia semiconductor I+D ha proyecto base de producción ha’e 10.000 millones de yuanes.

Peteîha fase YOFC avanzado tercera generación dispositivo de potencia semiconductor I+D ha proyecto base de producción orekóva inversión total 10.000 millones de yuanes ha ikatúva oproduci 360.000 oblea SiC MOSFET anualmente, oimehápe epitaxia, diseño dispositivo, fabricación oblea, envasado ha ambue aspecto.