YOFC Advancedのメイン駆動SiC MOSFETウェーハ製品歩留まりが80%に到達

1200V Gen3 SiC MOSFET設計およびプロセスプラットフォームに基づくYOFC Advancedの主力駆動SiC MOSFETウェハ製品の歩留まり率は80%に達しました。