Die Produktausbeute des hauptgesteuerten SiC-MOSFET-Wafers von YOFC Advanced erreicht 80 %

Die Ausbeute der Hauptantriebs-SiC-MOSFET-Waferprodukte von YOFC Advanced, die auf der 1200-V-Gen3-SiC-MOSFET-Design- und Prozessplattform basieren, hat 80 % erreicht.