De opbrengst van de hoofdaangedreven SiC MOSFET-wafelproduct van YOFC Advanced bereikt 80%

Het rendement van de belangrijkste SiC MOSFET-waferproducten van YOFC Advanced, gebaseerd op het 1200V Gen3 SiC MOSFET-ontwerp- en procesplatform, heeft 80% bereikt.