Randamentul produsului de napolitană SiC MOSFET de la YOFC Advanced ajunge la 80%
1200V
MOSFET
SiC MOS
proces
proiecta
baza
an
proiect
proiect
2024-12-23 12:06
84
Rata de randament a produselor de tip wafer SiC MOSFET de la YOFC Advanced bazate pe platforma de proiectare și proces SiC MOSFET de 1200V Gen3 a atins 80%.
Prev:YOFC Advanced-ning asosiy SiC MOSFET gofret mahsulotining rentabelligi 80% ga etadi
Next:ИОФЦ Адванцед-ов принос СиЦ МОСФЕТ вафла са главним погоном достиже 80%
News
Exclusive
Data
Account