Wydajność płytek SiC MOSFET napędzanych głównym silnikiem YOFC Advanced osiąga 80%

Wskaźnik wydajności produktów waflowych SiC MOSFET głównego napędu YOFC Advanced, opartych na platformie projektowej i procesowej SiC MOSFET 1200 V Gen3, osiągnął 80%.