A YOFC Advanced fővezérelt SiC MOSFET lapkatermékének hozama eléri a 80%-ot

A YOFC Advanced 1200 V-os Gen3 SiC MOSFET tervezési és folyamatplatformon alapuló fő meghajtó SiC MOSFET lapkatermékeinek hozama elérte a 80%-ot.