Rendimenti kryesor i produktit të meshës SiC MOSFET i drejtuar nga YOFC Advanced arrin 80%

Shkalla e rendimentit të produkteve të meshës SiC MOSFET të pajisjes kryesore të YOFC Advanced bazuar në platformën e projektimit dhe procesit të Gen3 SiC MOSFET 1200V ka arritur në 80%.