Hiệu suất sản phẩm wafer SiC MOSFET dẫn động chính của YOFC Advanced đạt 80%

Tỷ lệ hiệu suất của các sản phẩm wafer SiC MOSFET truyền động chính của YOFC Advanced dựa trên nền tảng thiết kế và xử lý MOSFET SiC 1200V Gen3 đã đạt 80%.