Высокопроизводительный и высоконадежный полевой МОП-транзистор из карбида кремния, разработанный China Electronics Technology Co., Ltd.55, прошел техническую экспертизу.

Китайский научно-исследовательский институт электронных технологий 55 успешно разработал высокопроизводительную и высоконадежную технологию MOSFET из карбида кремния и добился серийных поставок в новые энергетические транспортные средства, фотоэлектрические накопители энергии, интеллектуальные сети и другие области. Эта технология достигла передового международного уровня и обеспечивает надежную гарантию безопасности цепочки поставок силовых устройств из карбида кремния. В будущем Guoji Southern и 55 Institute продолжат продвигать ключевые технологические исследования и промышленное применение карбидокремниевых МОП-транзисторов и силовых модулей для транспортных средств на новых источниках энергии.