揭秘CoolSiC™ 2000V的秘密

2024-04-25 17:00
 68

CoolSiC™ MOSFET 2000V是首款2000V碳化硅分立器件,TO-247PLUS-4-HCC封装,14mm爬电距离,5.4mm电气间隙。低开关损耗,适合太阳能、储能和电动汽车充电。