揭秘CoolSiC™ 2000V的秘密
2000V
CoolSiC
MOSFET
OS
开关
分立器件
封装
太阳能
器件
损耗
电气
储能
碳化硅
SiC
汽车
电动汽车
2024-04-25 17:00
68
CoolSiC™ MOSFET 2000V是首款2000V碳化硅分立器件,TO-247PLUS-4-HCC封装,14mm爬电距离,5.4mm电气间隙。低开关损耗,适合太阳能、储能和电动汽车充电。
Prev:CoolMOS™ S7T系列集成温度传感器
Next:英飞凌推出新SSI系列固态隔离器
快报
一手资料
数据
个人中心