Jiangsu Qisi Electronic Technology Co., Ltd.의 고전력 장치 프로젝트 소개

Gaoyou 경제 개발구에 Jiangsu Qisi Electronic Technology Co., Ltd.가 투자하고 건설한 고전력 장치 프로젝트는 총 9억 위안을 투자할 계획입니다. 주로 고전력 장치, SiC, IGBT 모듈 패키징 및 테스트를 생산합니다. 다른 제품. 이 프로젝트는 1단계에 4억 8천만 위안을 투자하여 2단계로 진행되며, 올해 8월에 양산될 예정이며, 연간 생산량은 3억 3천만 개의 개별 장치와 120만 개의 모듈로 가득 차 있습니다. 가오유시 반도체 산업의 고전력 디바이스 분야 격차.