Introduksjon til høyeffektsenhetsprosjektet til Jiangsu Qisi Electronic Technology Co., Ltd.
Saida Semiconductor
De
IGBT
Pro
De
test
produksjon
Jiangsu
Høy
sak
år
halvleder
SiC
industri
prosjekt
2024-12-23 20:08
73
Høyeffektsenhetsprosjektet investert og konstruert av Jiangsu Qisi Electronic Technology Co., Ltd. i Gaoyou Economic Development Zone har en planlagt total investering på 900 millioner yuan Det produserer hovedsakelig høyeffektsenheter, SiC, IGBT-modulemballasje og -testing andre produkter. Prosjektet vil bli implementert i to faser, med en investering på 480 millioner yuan i første fase. Det forventes å bli masseprodusert i august i år, med en årlig produksjon på 330 millioner diskrete enheter og 1,2 millioner moduler. gap i Gaoyou Citys halvlederindustri innen høyeffektsenheter.
