Core Energy Semiconductor unterzeichnete eine Projektkooperationsvereinbarung mit der Stadtregierung von Hefei

Im Mai 2023 unterzeichnete Core Energy Semiconductor eine Projektkooperationsvereinbarung mit der Stadtregierung von Hefei und plant den Bau von 10 automatisierten IGBT- und 5 SiC-MOS-Produktionslinien in der Wirtschafts- und Technologieentwicklungszone Hefei Anchao.