Core Energy Semiconductor assinou um acordo de cooperação de projeto com o Governo Municipal de Hefei
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IGBT
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Semi
SiC MOS
um
Econômico
Zona de Desenvolvimento Econômico
Hefei
projeto
SiC
2023
Desenvolvimento
projeto
2024-12-23 20:08
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Em maio de 2023, a Core Energy Semiconductor assinou um acordo de cooperação de projeto com o governo municipal de Hefei e planeja construir 10 linhas de produção automatizadas IGBT e 5 SiC MOS na Zona de Desenvolvimento Econômico e Tecnológico de Hefei Anchao.
