Core Energy Semiconductor firmó un acuerdo de cooperación para proyectos con el gobierno municipal de Hefei

En mayo de 2023, Core Energy Semiconductor firmó un acuerdo de cooperación de proyecto con el gobierno municipal de Hefei y planea construir 10 líneas de producción automatizadas IGBT y 5 SiC MOS en la Zona de Desarrollo Económico y Tecnológico de Hefei Anchao.