Core Energy Semiconductor huet e Projet Zesummenaarbecht Accord mat der Hefei Municipal Government ënnerschriwwen
Hechuang Auto
Si
IGBT
Pro
Semi
SiC MOS
Si
Accord
auto
wirtschaftlech
Hefei
SiC
2023
Entwécklung
Projet
auto
2024-12-23 20:08
84
Am Mee 2023 huet Core Energy Semiconductor e Projet Zesummenaarbecht Accord mat der Hefei Municipal Government ënnerschriwwen, a plangt 10 IGBT a 5 SiC MOS automatiséiert Produktiounslinnen an der Hefei Anchao wirtschaftlech an technologescher Entwécklung Zone ze bauen.
