ແນະນໍາໂຄງການອຸປະກອນພະລັງງານສູງຂອງ Jiangsu Qisi Electronic Technology Co., Ltd.
gallium nitride
ນທ
ອື່ນໆ
IGBT
ນີ້
ແລະ
ເດືອນ
ມ
ໂດຍ
ໃຫຍ່
ພະລັງງານ
ສ່ວນ
ການທົດສອບ
ຢ
ລົງທຶນ
ຫໍ
ຄາດ
ຢວນ
ທຶນ
ອຸປະກອນ
ທຶນ
ທຶນ
ເສດຖະກິດ
ເຂດພັດທະນາເສດຖະກິດ
ສູງ
ທ
ໂມດູນ
ໂມດູນ
ນ
ເສດ
ການຫຸ້ມຫໍ່
ສູງ
ຊ່ອງ
ພະລັງງານ
ທຶນ
ສູງ
ຊ່ອງ
ອຸປະກອນ
ຫໍ
ອຸປະກອນ
ທົດສອບ
ປີ
semiconductor
SiC
ພັດທະນາ
ລົງທຶນ
ອຸດສາຫະກໍາ
ນີ້
ໂຄງການ
2024-12-23 20:08
73
ໂຄງການອຸປະກອນພະລັງງານສູງໄດ້ລົງທຶນແລະກໍ່ສ້າງໂດຍ Jiangsu Qisi Electronic Technology Co., Ltd. ໃນເຂດພັດທະນາເສດຖະກິດ Gaoyou ໄດ້ວາງແຜນການລົງທຶນທັງຫມົດ 900 ລ້ານຢວນ, ມັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງານສູງ, SiC, IGBT ໂມດູນການຫຸ້ມຫໍ່ແລະການທົດສອບແລະ ຜະລິດຕະພັນອື່ນໆ. ໂຄງການດັ່ງກ່າວຈະໄດ້ຮັບການປະຕິບັດໃນສອງໄລຍະ, ການລົງທຶນ 480 ລ້ານຢວນໃນໄລຍະທໍາອິດຄາດວ່າຈະຜະລິດຕະພັນໃນເດືອນສິງຫາປີນີ້, ໂດຍຈະໄດ້ຮັບຜະລິດຕະພັນ 330 ລ້ານອຸປະກອນແຍກຕ່າງຫາກແລະ 1,2 ລ້ານໂມດູນ. ຊ່ອງຫວ່າງໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ຂອງເມືອງ Gaoyou ໃນຂົງເຂດອຸປະກອນພະລັງງານສູງ.
