Core Energy Semiconductor parakstīja projekta sadarbības līgumu ar Hefei pašvaldības valdību
2024-12-23 20:08
84
2023. gada maijā Core Energy Semiconductor parakstīja projekta sadarbības līgumu ar Hefei pašvaldības valdību un plāno uzbūvēt 10 IGBT un 5 SiC MOS automatizētās ražošanas līnijas Hefei Ančao ekonomiskās un tehnoloģiskās attīstības zonā.
