Core Energy Semiconductor je podpisal sporazum o projektnem sodelovanju z občinsko vlado Hefei

Maja 2023 je Core Energy Semiconductor podpisal sporazum o projektnem sodelovanju z občinsko vlado Hefei in načrtuje izgradnjo 10 avtomatiziranih proizvodnih linij IGBT in 5 SiC MOS v coni gospodarskega in tehnološkega razvoja Hefei Anchao.