Firma Core Energy Semiconductor podpisała umowę o współpracy projektowej z władzami miejskimi Hefei

W maju 2023 r. firma Core Energy Semiconductor podpisała umowę o współpracy projektowej z władzami miejskimi Hefei i planuje budowę 10 zautomatyzowanych linii produkcyjnych IGBT i 5 SiC MOS w strefie rozwoju gospodarczego i technologicznego Hefei Anchao.