Core Energy Semiconductor podepsala dohodu o spolupráci na projektu s městskou vládou v Hefei

V květnu 2023 společnost Core Energy Semiconductor podepsala dohodu o spolupráci na projektu s městskou vládou Hefei a plánuje postavit 10 IGBT a 5 automatizovaných výrobních linek SiC MOS v zóně ekonomického a technologického rozvoje Hefei Anchao.