A Core Energy Semiconductor projekt együttműködési megállapodást írt alá Hefei önkormányzatával
2024-12-23 20:08
84
2023 májusában a Core Energy Semiconductor projekt együttműködési megállapodást írt alá Hefei önkormányzatával, és 10 IGBT és 5 SiC MOS automatizált gyártósor építését tervezi Hefei Anchao gazdasági és technológiai fejlesztési övezetében.
