Ojekuaauka proyecto dispositivo de alta potencia Jiangsu Qisi Tecnología Electrónica Co., Ltd.

Ko proyecto dispositivo de alta potencia oinvertíva ha omopu'ãva Jiangsu Qisi Electronic Technology Co., Ltd. Zona de Desarrollo Económico Gaoyou orekóva inversión total planificada 900 millones de yuanes Oproduci principalmente umi dispositivo de alta potencia, SiC, IGBT módulo envasado ha prueba ha ambue mba’e ojejapóva. Ko proyecto oñemotenondéta mokõi fase, orekóva inversión 480 millones de yuanes peteîha fase Oñeha'ãrõ producción masiva agosto ko arýpe, orekóva producción anual 330 millones de dispositivos discretos ha 1,2 millones de módulos, omyenyhëva brecha industria semiconductora Gaoyou City-pe umi dispositivo de alta potencia ámbito-pe.