Core Energy Semiconductor potpisao je sporazum o projektnoj suradnji s općinskom vladom Hefeija

84
U svibnju 2023. Core Energy Semiconductor potpisao je ugovor o projektnoj suradnji s općinskom vladom Hefeija i planira izgraditi 10 IGBT i 5 SiC MOS automatiziranih proizvodnih linija u zoni ekonomskog i tehnološkog razvoja Hefei Anchao.