Core Energy Semiconductor sõlmis projekti koostöölepingu Hefei linnavalitsusega

84
2023. aasta mais allkirjastas Core Energy Semiconductor projekti koostöölepingu Hefei linnavalitsusega ning plaanib ehitada Hefei Anchao majandus- ja tehnoloogiaarenduse tsooni 10 IGBT ja 5 SiC MOS automatiseeritud tootmisliini.